Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами

Представлены результаты исследования полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн с T-образным затвором длиной 0.14 $\mu$m на псевдоморфных гетероструктурах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As-In$_{0.22}$Ga$_{0.78}$As-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с дополнительными потенциальными барьерами на основе двустороннего донорно-акцепторного легирования канала. На частоте 40 GHz в широком диапазоне напряжений на затворе достигнута величина максимально стабильного коэффициента усиления более 15 dB. Максимальная частота генерации прибора составляет около 250 GHz, удельная плотность тока при открытом канале – около 0.7 А/mm, пробивное напряжение затвор-сток в зависимости от исполнения составляет 22–31 V.