Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 7, страницы 13–16
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50792.18630 (Mi pjtf4810) 		 
Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN

И. О. Майбородаa, И. А. Черныхa, В. С. Седовb, А. С. Алтаховb, А. А. Андреевa, Ю. В. Грищенкоa, Е. М. Колобковаa, А. К. Мартьяновb, В. И. Коновb, М. Л. Занавескинa

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (833 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50792.18630
Аннотация: Изготовлены пластины кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза, в которых слои кремния и алмаза имели толщину 234 nm и 250 $\mu$m соответственно. Теплопроводность алмаза составила 1290 $\pm$ 190 W/(m $\cdot$ K). Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза выращены нитридные гетероструктуры с двумерным электронным газом. Подвижность электронов в двумерном электронном газе и его слоевое сопротивление составили 1600 cm$^{2}$/(V $\cdot$ s) и 300 $\Omega/\square$ соответственно.
Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, нитридная гетероструктура, нитрид галлия, кремний, алмаз.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при финансовой поддержке Национального исследовательского центра “Курчатовский институт”.
Поступила в редакцию: 25.11.2020
Исправленный вариант: 16.12.2020
Принята в печать: 17.12.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 5, Pages 353–356
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021040118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. О. Майборода, И. А. Черных, В. С. Седов, А. С. Алтахов, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, Е. М. Колобкова, А. К. Мартьянов, В. И. Конов, М. Л. Занавескин, “Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MayCheSed21}
\by И.~О.~Майборода, И.~А.~Черных, В.~С.~Седов, А.~С.~Алтахов, А.~А.~Андреев, Ю.~В.~Грищенко, Е.~М.~Колобкова, А.~К.~Мартьянов, В.~И.~Конов, М.~Л.~Занавескин
\paper Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 7
\pages 13--16
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4810}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.07.50792.18630}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46318383}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 5
\pages 353--356
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021040118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4810
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i7/p13
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:88
    PDF полного текста:37
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024