|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами
Н. М. Богатовa, Л. Р. Григорьянa, А. И. Коваленкоa, М. С. Коваленкоa, Л. С. Лунинb a Кубанский государственный университет, г. Краснодар
b Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние облучения низкоэнергетическими протонами на импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических структур. Для измерения использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной амплитудой 10 mV и частотой 200 kHz и 1 MHz. Показано, что облучение протонами с энергией 180 keV и дозой 10$^{15}$ cm$^{-2}$ создает в области пространственного заряда $n^{+}$–$p$-перехода область с высокой концентрацией радиационных дефектов. Такие элементы могут использоваться для создания быстродействующих фотодиодов с рабочей частотой модуляции 18 MHz.
Ключевые слова:
фотодиод, кремний, время жизни, протон.
Поступила в редакцию: 23.10.2020 Исправленный вариант: 17.12.2020 Принята в печать: 17.12.2020
Образец цитирования:
Н. М. Богатов, Л. Р. Григорьян, А. И. Коваленко, М. С. Коваленко, Л. С. Лунин, “Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 10–12; Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 326–328
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4809 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i7/p10
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 27 |
|