Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 10, страницы 19–21
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.10.50967.18445 (Mi pjtf4784) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Особенности расчета и исследования вольт-эрстедной характеристики анизотропного магниторезистивного датчика

В. В. Амеличевa, Д. А. Жуковa, С. И. Касаткинb, Д. В. Костюкa, О. П. Поляковbc, П. А. Поляковc, В. С. Шевцовbc

a НПК "Технологический Центр", Москва, Зеленоград, Россия
b Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, г. Москва
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (366 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.10.50967.18445
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований влияния величины собственного тока на характеристики анизотропных магниторезистивных датчиков магнитного поля на основе сплава FeNiCo со структурой типа “barber-polе”. Установлено существенное различие вольт-эрстедных характеристик прямого и обратного хода при увеличении собственного тока, вызванного входным напряжением питания, при достаточно больших внешних магнитных полях. Проведен теоретический расчет вольт-эрстедной характеристики в рамках модели одномерной неоднородности распределения намагниченности; полученная характеристика совпадает с экспериментальными данными для прямого хода.
Ключевые слова: теория микромагнетизма, магниторезистивный эффект, преобразователь магнитного поля, магниторезистивная наноструктура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС
Работа поддержана Фондом развития теоретической физики и математики “БАЗИС”.
Поступила в редакцию: 30.06.2020
Исправленный вариант: 11.12.2020
Принята в печать: 18.02.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 6, Pages 482–484
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021050187
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Амеличев, Д. А. Жуков, С. И. Касаткин, Д. В. Костюк, О. П. Поляков, П. А. Поляков, В. С. Шевцов, “Особенности расчета и исследования вольт-эрстедной характеристики анизотропного магниторезистивного датчика”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 19–21; Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 482–484
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AmeZhuKas21}
\by В.~В.~Амеличев, Д.~А.~Жуков, С.~И.~Касаткин, Д.~В.~Костюк, О.~П.~Поляков, П.~А.~Поляков, В.~С.~Шевцов
\paper Особенности расчета и исследования вольт-эрстедной характеристики анизотропного магниторезистивного датчика
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 10
\pages 19--21
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4784}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.10.50967.18445}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321622}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 6
\pages 482--484
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021050187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4784
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i10/p19
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024