Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As

Показано, что фторсодержащие анодные слои на поверхности $n$-In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в отличие от анодных слоев без фтора формируют границу раздела SiO$_{2}$/InGaAs с открепленным уровнем Ферми, плотность состояний на которой уменьшается в результате отжига при температуре 300$^\circ$C до значений (2 – 4) $\cdot$ 10$^{11}$ и (4 – 5) $\cdot$ 10$^{12}$ eV$^{-1}$ $\cdot$ cm$^{-2}$ вблизи дна зоны проводимости и середины запрещенной зоны соответственно. Повышение температуры отжига приводит к обратному увеличению плотности состояний (350$^\circ$C) и закреплению уровня Ферми (400$^\circ$C).