|
Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
М. С. Аксеновab, Н. А. Валишеваa, А. П. Ковчавцевa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Показано, что фторсодержащие анодные слои на поверхности $n$-In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в отличие от анодных слоев без фтора формируют границу раздела SiO$_{2}$/InGaAs с открепленным уровнем Ферми, плотность состояний на которой уменьшается в результате отжига при температуре 300$^\circ$C до значений (2 – 4) $\cdot$ 10$^{11}$ и (4 – 5) $\cdot$ 10$^{12}$ eV$^{-1}$ $\cdot$ cm$^{-2}$ вблизи дна зоны проводимости и середины запрещенной зоны соответственно. Повышение температуры отжига приводит к обратному увеличению плотности состояний (350$^\circ$C) и закреплению уровня Ферми (400$^\circ$C).
Ключевые слова:
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, анодный оксид, фтор, вольт-фарадная характеристика, плотность интерфейсных состояний.
Поступила в редакцию: 08.12.2020 Исправленный вариант: 17.02.2021 Принята в печать: 17.02.2021
Образец цитирования:
М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев, “Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Письма в ЖТФ, 47:10 (2021), 11–14; Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 478–481
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4782 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i10/p11
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 14 |
|