Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 13, страницы 28–31
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51118.18707 (Mi pjtf4746) 		 
Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

А. Е. Жуковa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, А. С. Драгуноваa, Н. В. Крыжановскаяa, М. М. Кулагинаb, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, Ф. И. Зубовc, М. В. Максимовc

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (684 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51118.18707
Аннотация: Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 $\mu$m оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью оптического сигнала.
Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, квантовые точки, энергопотребление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30010
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (соглашение № 19-72-30010). Оптические исследования проведены в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ.
Поступила в редакцию: 12.01.2021
Исправленный вариант: 02.04.2021
Принята в печать: 02.04.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 9, Pages 685–688
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021070142
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 28–31; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 685–688
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMoiNad21}
\by А.~Е.~Жуков, Э.~И.~Моисеев, А.~М.~Надточий, А.~С.~Драгунова, Н.~В.~Крыжановская, М.~М.~Кулагина, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, Ф.~И.~Зубов, М.~В.~Максимов
\paper Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 13
\pages 28--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4746}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51118.18707}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321847}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 9
\pages 685--688
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021070142}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4746
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i13/p28
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024