Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 13, страницы 8–11
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51113.18744
(Mi pjtf4741)
 

Максимальные параметры резистивного состояния и влияние уровня напряжения на деградацию сверхпроводящих свойств в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих проводах второго поколения

В. А. Мальгинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Установлено, что в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалах переход между сверхпроводящим и резистивным состоянием носит электромагнитный характер, а резистивное состояние имеет универсальные характеристики по напряжению и сопротивлению на единицу длины: 0.040 V/cm и 50 $\mu\Omega$/cm соответственно. Обнаружено, что после перехода из резистивного в нормальное состояние при уровне напряжения в нормальном состоянии более 0.7 V происходит необратимое разрушение сверхпроводящих свойств ВТСП-материала. Полученные характеристики позволяют определить безопасный уровень работы, а также оценить сопротивление и уровень напряжения в ВТСП-элементах электрооборудования, использующего стабильный резистивный режим.
Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, медный стабилизатор, резистивное состояние, разрушение сверхпроводящего слоя, ВТСП-устройство.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-29-10003
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 17-29-10003.
Поступила в редакцию: 20.02.2021
Исправленный вариант: 22.03.2021
Принята в печать: 26.03.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 9, Pages 668–671
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021070105
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Мальгинов, “Максимальные параметры резистивного состояния и влияние уровня напряжения на деградацию сверхпроводящих свойств в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих проводах второго поколения”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 8–11; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 668–671
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mal21}
\by В.~А.~Мальгинов
\paper Максимальные параметры резистивного состояния и влияние уровня напряжения на деградацию сверхпроводящих свойств в стабилизированных высокотемпературных сверхпроводящих проводах второго поколения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 13
\pages 8--11
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4741}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51113.18744}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321842}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 9
\pages 668--671
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021070105}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4741
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i13/p8
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024