Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 15, страницы 23–26
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51229.18784 (Mi pjtf4719) 		 
Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (589 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51229.18784
Аннотация: Экспериментально продемонстрирован эффект резистивного переключения в отдельных дислокациях в мемристорных структурах Ag/Ge/Si(001) методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом. На вольт-амперных характеристиках дислокаций обнаружен гистерезис, типичный для биполярного резистивного переключения, связанного с формированием и разрушением Ag-филамента в слое Ge в результате дрейфа ионов Ag$^{+}$ вдоль ядра дислокации.
Ключевые слова: резистивное переключение, мемристор, гетероструктуры Ge/Si, дислокации, ионное травление, атомно-силовая микроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-10061
Российский фонд фундаментальных исследований 19-29-03026
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (18-72-10061, формирование гетероструктур Ge/Si) и Российского фонда фундаментальных исследований (19-29-03026, АСМ-исследования).
Поступила в редакцию: 24.03.2021
Исправленный вариант: 27.04.2021
Принята в печать: 30.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VorAntKru21}
\by В.~А.~Воронцов, Д.~А.~Антонов, А.~В.~Круглов, И.~Н.~Антонов, В.~Е.~Koтомина, В.~Г.~Шенгуров, С.~А.~Денисов, В.~Ю.~Чалков, Д.~О.~Филатов, О.~Н.~Горшков
\paper Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 15
\pages 23--26
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4719}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51229.18784}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46333493}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4719
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i15/p23
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024