Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 18, страницы 15–17
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51465.18805 (Mi pjtf4676) 		 
Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов

В. И. Егоркинa, С. В. Оболенскийb, В. Е. Земляковa, А. А. Зайцевa, В. И. Гармашa

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (241 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51465.18805
Аннотация: Представлены результаты исследования и разработки метода ионной имплантации азота через пассивирующий слой плазмохимического нитрида кремния для гетероструктуры AlGaN/GaN на подложке кремния в сравнении с традиционным плазмохимическим травлением. Использование такого слоя упрощает изготовление транзисторов и получение изоляции благодаря возможности смещения максимума распределения имплантированных ионов к поверхности полупроводника. За счет использования легированных углеродом буферных слоев и ионной имплантации азота получено увеличение пробивного напряжения транзисторов до 650 V.
Ключевые слова: ионная имплантация, пробивное напряжение, нитрид галлия, силовой транзистор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-11-2019-068
Полученные результаты исследований достигнуты в ходе реализации проекта НИУ МИЭТ с использованием мер государственной поддержки развития кооперации российских образовательных организаций высшего образования, государственных научных учреждений и организаций, реализующих комплексные проекты по созданию высокотехнологичного производства, предусмотренных постановлением Правительства РФ № 218 от 9 апреля 2010 г. (проект НИУ МИЭТ “Разработка технологии и технологическая подготовка к производству кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 mm для силовых преобразовательных модулей”, соглашение № 075-11-2019-068 от 26 ноября 2019 г.).
Поступила в редакцию: 05.04.2021
Исправленный вариант: 27.05.2021
Принята в печать: 04.06.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Егоркин, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 15–17
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EgoOboZem21}
\by В.~И.~Егоркин, С.~В.~Оболенский, В.~Е.~Земляков, А.~А.~Зайцев, В.~И.~Гармаш
\paper Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 18
\pages 15--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4676}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51465.18805}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321951}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4676
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i18/p15
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024