Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 19, страницы 7–11
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.19.51504.18799 (Mi pjtf4660) 		 
Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков

М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. А. Тачилин

Ташкентский государственный технический университет
PDF полного текста (104 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.19.51504.18799
Аннотация: Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца.
Ключевые слова: многофункциональный датчик, отрицательное магнитосопротивление, кремний, нанокластер, марганец.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации ОТ-Ф2-55
Работа выполнена в 2017–2020 гг. в рамках проекта ОТ-Ф2-55 “Разработка научных основ получения объемнонаноструктурированного кремния на основе формирования нанокластеров примесных атомов как нового класса наноматериалов с уникальными функциональными возможностями”.
Поступила в редакцию: 01.04.2021
Исправленный вариант: 14.06.2021
Принята в печать: 17.06.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2022, Volume 48, Issue 1, Pages 1–4
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785022010023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. А. Тачилин, “Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 7–11; Tech. Phys. Lett., 48:1 (2022), 1–4
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakIliMav21}
\by М.~К.~Бахадырханов, Х.~М.~Илиев, Г.~Х.~Мавлонов, Ш.~Н.~Ибодуллаев, С.~А.~Тачилин
\paper Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 19
\pages 7--11
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4660}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.19.51504.18799}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46549178}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2022
\vol 48
\issue 1
\pages 1--4
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785022010023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4660
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i19/p7
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024