|
Влияние температуры отжига на кинетику процесса алюминий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния
И. Е. Меркуловаab, А. О. Замчийab, Н. А. Луневa, В. О. Константиновa, Е. А. Барановa a Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследована кинетика процесса алюминий-индуцированной кристаллизации нестехиометрического оксида кремния $\alpha$-SiO$_{0.25}$ для температур отжига 370, 385 и 400$^\circ$C, в результате которого были получены тонкие пленки поликристаллического кремния. Показано, что для низких температур отжига поверхностная морфология кристаллического материала представлена дендрическими структурами, соответствующими модели роста с агрегацией, ограниченной диффузией. Кроме того, с ростом температуры отжига увеличивается плотность зародышеобразования от 3 до 53 mm$^{-2}$. Из графика Аррениуса впервые получено значение энергии активации процесса алюминий-индуцированной кристаллизации $\alpha$-SiO$_{0.25}$, которое составило 3.7 $\pm$ 0.4 eV.
Ключевые слова:
алюминий-индуцированная кристаллизация, тонкие пленки субоксида кремния, поликристаллический кремний, энергия активации.
Поступила в редакцию: 17.05.2021 Исправленный вариант: 20.07.2021 Принята в печать: 21.07.2021
Образец цитирования:
И. Е. Меркулова, А. О. Замчий, Н. А. Лунев, В. О. Константинов, Е. А. Баранов, “Влияние температуры отжига на кинетику процесса алюминий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 39–42
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4641 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i21/p39
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 24 |
|