Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 21, страницы 36–38
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51627.18939 (Mi pjtf4640) 		 
Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs

Н. А. Малеевab, А. Г. Кузьменковc, М. М. Кулагинаa, А. П. Васильевc, С. А. Блохинac, С. И. Трошковa, А. В. Нащекинa, М. А. Бобровa, А. А. Блохинa, К. О. Воропаевd, В. Е. Бугровb, В. М. Устиновc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
PDF полного текста (620 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51627.18939
Аннотация: Предложен и исследован вариант грибовидной конструкции меза-структуры для лавинных фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs, формируемой с использованием селективного травления. Гетероструктуры для лавинных фотодиодов выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изготовленные образцы тестовых лавинных фотодиодов с диаметром фоточувствительной области $\sim$30 $\mu$m после пассивации поверхности слоем SiN демонстрируют пробивные напряжения в диапазоне 70–80 V, уровень темновых токов 75–200 nA при величине приложенного напряжения 90% от пробивного и величину фотоотклика в линейном режиме более 0.5 A/W при стыковке с одномодовым волокном.
Ключевые слова: лавинный фотодиод, InAlAs/InGaAs, меза-структура, темновой ток.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2019-1442
Н.А. Малеев, С.А. Блохин, В.Е. Бугров выражают благодарность за поддержку экспериментальных исследований характеристик изготовленных ЛФД Министерству науки и высшего образования РФ (проект тематики научных исследований № 2019-1442).
Поступила в редакцию: 28.06.2021
Исправленный вариант: 28.06.2021
Принята в печать: 19.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 36–38
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKuzKul21}
\by Н.~А.~Малеев, А.~Г.~Кузьменков, М.~М.~Кулагина, А.~П.~Васильев, С.~А.~Блохин, С.~И.~Трошков, А.~В.~Нащекин, М.~А.~Бобров, А.~А.~Блохин, К.~О.~Воропаев, В.~Е.~Бугров, В.~М.~Устинов
\paper Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 21
\pages 36--38
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4640}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51627.18939}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46640008 }
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4640
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i21/p36
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024