Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области

Исследовано влияние расположения массива квантовых точек In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As в $i$-области фотопреобразователя на его фотогенерированный ток, а также темновые токи насыщения, определяющие рабочее напряжение прибора. Установлено, что фотоэлектрические характеристики зависят от расположения квантовых точек относительно электрического поля $p$–$n$-перехода. Смещение массива к границе слаболегированной базы приводит к уменьшению фотогенерированного тока в квантовых точках, но при этом эффект падения напряжения, свойственный наногетероструктурным фотопреобразователям, минимален.