|
Два вида структуры плазменного канала в импульсном разряде высокого давления в цезии
Ф. Г. Бакштa, В. Ф. Лапшинab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I
Аннотация:
На основе уравнений радиационной газодинамики выполнено моделирование импульсно-периодического разряда высокого давления в парах цезия. Показано, что в разряде возможна реализация двух различных видов структуры плазменного канала. В начале импульса тока плазменный канал разряда имеет центрированную структуру. При этом бо́льшая часть плазмы сосредоточена вблизи оси разряда. Концентрация заряженных частиц убывает вдоль радиуса. Затем, если амплитуда тока достаточно велика, в процессе нагрева плазмы происходит трансформация от центрированной к оболочечной структуре канала. При этом бо́льшая часть плазмы оказывается сосредоточенной на периферии разряда и ее концентрация возрастает вдоль радиуса от оси к стенкам трубки. Показано, что переход от одной структуры канала к другой происходит в момент времени, когда удельная теплоемкость плазмы вблизи оси достигает глубокого минимума, соответствующего полностью однократно ионизованной $e$–$i$-плазме.
Ключевые слова:
низкотемпературная плазма, импульсный разряд, плазменный канал.
Поступила в редакцию: 23.07.2021 Исправленный вариант: 23.07.2021 Принята в печать: 14.08.2021
Образец цитирования:
Ф. Г. Бакшт, В. Ф. Лапшин, “Два вида структуры плазменного канала в импульсном разряде высокого давления в цезии”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 45–48
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4628 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i22/p45
|
|