Влияние отжига в инертной атмосфере на электрические свойства кристаллических пленок пентацена

Представлены результаты исследования влияния отжига при 150$^\circ$С в инертной атмосфере (Ar + 5% H$_{2}$) на электрические свойства органических полевых транзисторов на основе пентацена. Кристаллические пленки пентацена толщиной 95 $\pm$ 5 nm были получены с помощью вакуумного термического напыления. Исследованы передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов до и после отжига в течение 15 h. Установлено, что в результате термической обработки дырочная подвижность в режиме насыщения увеличилась в среднем на 30%, а пороговое напряжение уменьшилось приблизительно в 2 раза. По данным атомно-силовой микроскопии отжиг привел к снижению шероховатости поверхности пленок пентацена более чем в 2 раза, а также к заметному укрупнению зерен, что и привело к уменьшению концентрации ловушек для дырочного электротранспорта в канале полевого транзистора.