Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 3, страницы 183–186 (Mi pjtf44)  

Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором

Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 11.12.1985
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986), 183–186
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfKorRak86}
\by Ж.~И.~Алфёров, В.~И.~Корольков, Н.~Р.~Рахимов, Т.~С.~Табаров, Б.~С.~Явич
\paper Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1986
\vol 12
\issue 3
\pages 183--186
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf44}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf44
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i3/p183
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024