|
Письма в Журнал технической физики, 1991, том 17, выпуск 22, страницы 57–61
(Mi pjtf4070)
|
|
|
|
Структурные изменения эпитаксиальной пленки ZnSe/GaAs под действием
мягкого рентгеновского излучения
О. Б. Ананьин, Р. З. Багателия, Ю. А. Быковский, В. Ю. Знаменский, А. В. Коваленко
Образец цитирования:
О. Б. Ананьин, Р. З. Багателия, Ю. А. Быковский, В. Ю. Знаменский, А. В. Коваленко, “Структурные изменения эпитаксиальной пленки ZnSe/GaAs под действием
мягкого рентгеновского излучения”, Письма в ЖТФ, 17:22 (1991), 57–61
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4070 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v17/i22/p57
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 14 |
|