Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 1991, том 17, выпуск 3, страницы 77–80 (Mi pjtf3668)  

Влияние эффектов деполяризации на фотоэлектрические и пороговые характеристики фотоприемников на квантовых ямах структур GaAs$-$AlGaAs

Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин, “Влияние эффектов деполяризации на фотоэлектрические и пороговые характеристики фотоприемников на квантовых ямах структур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 77–80
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Ф.~Л.~Серженко, В.~Д.~Шадрин
\paper Влияние эффектов деполяризации на~фотоэлектрические и~пороговые
характеристики фотоприемников на~квантовых ямах структур~GaAs$-$AlGaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1991
\vol 17
\issue 3
\pages 77--80
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf3668}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf3668
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v17/i3/p77
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024