Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1990, том 16, выпуск 19, страницы 59–61 (Mi pjtf3478)  
К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом в процессе жидкофазной эпитаксии при изовалентном легировании

А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев
PDF полного текста (295 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, “К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом в процессе жидкофазной эпитаксии при изовалентном легировании”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 59–61
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BirNov90}
\by А.~А.~Аристархова, Ю.~Ф.~Бирюлин, С.~С.~Волков, С.~В.~Новиков, М.~Ю.~Тимашев
\paper К вопросу о составе и~стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в~процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1990
\vol 16
\issue 19
\pages 59--61
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf3478}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf3478
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v16/i19/p59
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024