|
Письма в Журнал технической физики, 1990, том 16, выпуск 4, страницы 76–80
(Mi pjtf3130)
|
|
|
|
Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев
InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)
Н. В. Зотова, А. В. Лосев, Б. А. Матвеев, H. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко
Образец цитирования:
Н. В. Зотова, А. В. Лосев, Б. А. Матвеев, H. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко, “Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев
InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 76–80
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf3130 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v16/i4/p76
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 15 |
|