|
Письма в Журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 17, страницы 47–51
(Mi pjtf2857)
|
|
|
|
Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики
InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной
Образец цитирования:
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной, “Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики
InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 47–51
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2857 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v15/i17/p47
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 61 | PDF полного текста: | 19 |
|