Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 17, страницы 47–51 (Mi pjtf2857)  
Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой

В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной
PDF полного текста (453 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, А. Г. Дерягин, В. Г. Дураев, Д. В. Куксенков, В. И. Кучинский, В. Б. Смирницкий, Е. Л. Портной, “Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 47–51
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukKucSmi89}
\by В.~И.~Барышев, Е.~Г.~Голикова, А.~Г.~Дерягин, В.~Г.~Дураев, Д.~В.~Куксенков, В.~И.~Кучинский, В.~Б.~Смирницкий, Е.~Л.~Портной
\paper Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики
InGaAsP/InP РОС-лазеров с~сильной коротковолновой расстройкой
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1989
\vol 15
\issue 17
\pages 47--51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf2857}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2857
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v15/i17/p47
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024