|
Письма в Журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 7, страницы 20–24
(Mi pjtf2608)
|
|
|
|
Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским
модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой
GaAs
Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков
Образец цитирования:
Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков, “Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским
модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой
GaAs”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 20–24
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2608 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v15/i7/p20
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 19 |
|