|
Письма в Журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 6, страницы 59–61
(Mi pjtf2594)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Низкотемпературная стимулированная гетероэпитаксия полупроводниковых
соединений A$_{2}$B$_{6}$ из МОС
Т. И. Бенюшис, М. И. Василевский, Б. В. Гурылев, С. Н. Ершов, А. Д. Зорин, Г. А. Каржин, А. Б. Озеров, В. А. Пантелеев, И. А. Фещенко
Образец цитирования:
Т. И. Бенюшис, М. И. Василевский, Б. В. Гурылев, С. Н. Ершов, А. Д. Зорин, Г. А. Каржин, А. Б. Озеров, В. А. Пантелеев, И. А. Фещенко, “Низкотемпературная стимулированная гетероэпитаксия полупроводниковых
соединений A$_{2}$B$_{6}$ из МОС”, Письма в ЖТФ, 15:6 (1989), 59–61
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2594 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v15/i6/p59
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 19 |
|