Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1983, том 9, выпуск 22, страницы 1373–1376 (Mi pjtf1838)  
Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов

Ж. И. Алфров, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, О. В. Смольский, И. А. Соколов
PDF полного текста (2001 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. И. Алфров, Ю. В. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, О. В. Смольский, И. А. Соколов, “Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов”, Письма в ЖТФ, 9:22 (1983), 1373–1376
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KovPogSmo83}
\by Ж.~И.~Алфров, Ю.~В.~Ковальчук, Ю.~В.~Погорельский, О.~В.~Смольский, И.~А.~Соколов
\paper Новый фазовый переход в~SiC и~GaAs под действием пикосекундных
лазерных импульсов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1983
\vol 9
\issue 22
\pages 1373--1376
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1838}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1838
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v9/i22/p1373
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025