|
Письма в Журнал технической физики, 1983, том 9, выпуск 20, страницы 1247–1250
(Mi pjtf1805)
|
|
|
|
МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области
инверсионных напряжений
С. Г. Сазонов, О. В. Романов
Образец цитирования:
С. Г. Сазонов, О. В. Романов, “МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области
инверсионных напряжений”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1247–1250
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1805 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v9/i20/p1247
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 13 |
|