Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 12, страницы 719–723 (Mi pjtf167)  
Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
PDF полного текста (459 kB)
Поступила в редакцию: 10.04.1986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова, “Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 719–723
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndGucDek86}
\by В.~М.~Андреев, А.~Б.~Гучмазов, Т.~В.~Декальчук, Ю.~М.~Задиранов, В.~С.~Калиновский, А.~М.~Койнова
\paper Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1986
\vol 12
\issue 12
\pages 719--723
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf167}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf167
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i12/p719
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024