Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1983, том 9, выпуск 9, страницы 564–567 (Mi pjtf1632)  
Электрические свойства эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных методом химических транспортных реакций

Ю. Г. Ахроменко, Г. А. Ильчук, С. П. Павлишин, В. И. Иванов-Омский
PDF полного текста (260 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Г. Ахроменко, Г. А. Ильчук, С. П. Павлишин, В. И. Иванов-Омский, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных методом химических транспортных реакций”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983), 564–567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Iva83}
\by Ю.~Г.~Ахроменко, Г.~А.~Ильчук, С.~П.~Павлишин, В.~И.~Иванов-Омский
\paper Электрические свойства эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te,
полученных методом химических транспортных реакций
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1983
\vol 9
\issue 9
\pages 564--567
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1632}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1632
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v9/i9/p564
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024