Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1984, том 10, выпуск 21, страницы 1281–1286 (Mi pjtf1422)  
Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса

Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, Ю. Н. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, И. И. Решина, О. В. Смольский
PDF полного текста (488 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Арутюнов, А. Н. Васильев, Ю. Н. Ковальчук, Ю. В. Погорельский, И. И. Решина, О. В. Смольский, “Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1281–1286
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AruVasPog84}
\by Е.~Н.~Арутюнов, А.~Н.~Васильев, Ю.~Н.~Ковальчук, Ю.~В.~Погорельский, И.~И.~Решина, О.~В.~Смольский
\paper Образование слоистой структуры в~ионно-имплантированном GaAs
под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1984
\vol 10
\issue 21
\pages 1281--1286
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1422}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1422
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v10/i21/p1281
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024