Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1984, том 10, выпуск 6, страницы 353–357 (Mi pjtf1186)  
Влияние сильного магнитного поля на низкотемпературную экситонную фосфоресценцию кристаллического 4.4′-дихлорбензофенона

А. А. Авдеенко, В. А. Кульчицкий, И. А. Левитский, С. Н. Пакулов
PDF полного текста (474 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Авдеенко, В. А. Кульчицкий, И. А. Левитский, С. Н. Пакулов, “Влияние сильного магнитного поля на низкотемпературную экситонную фосфоресценцию кристаллического 4.4′-дихлорбензофенона”, Письма в ЖТФ, 10:6 (1984), 353–357
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by А.~А.~Авдеенко, В.~А.~Кульчицкий, И.~А.~Левитский, С.~Н.~Пакулов
\paper Влияние сильного магнитного поля
на низкотемпературную экситонную
фосфоресценцию кристаллического \mbox{$4.4'$-дихлор}\-бен\-зо\-фе\-нона
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1984
\vol 10
\issue 6
\pages 353--357
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1186
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v10/i6/p353
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025