Возможность эффективного легирования стеклообразных полупроводников из расплава

Введение в стеклообразный полупроводник Ge$_{28.5}$Pb$_{15}$S$_{56.5}$ примесных атомов железа из расплава (состав стекла близок к эвтектическому, что дает возможность легирования из расплава) приводит к резкому уменьшению энергии активации электропроводности, смене знака носителей тока и к сдвигу уровня Ферми от середины запрещенной зоны к зоне проводимости. Мессбауэровские спектры $^{57}$Fe легированных образцов отвечают присутствию Fe$^{2+}$ и Fe$^{3+}$. Предполагается, что атомы железа образуют в запрещенной зоне стеклообразного полупроводника энергетический уровень, причем ноны Fe$^{2+}$ и Fe$^{3+}$ отвечают нейтральным и ионизованным донорным центрам. Сделан вывод о том, что возможность эффективного легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников из расплава зависит от состава стекла и химической природы вводимой примеси.