Многодолинное расщепление спектра прямого экситона в Ge

Исследовано влияние нескольких эквивалентных экстремумов энергии в зоне проводимости на структуру энергетического спектра неполяризующего экситона в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки. Рассматриваются только, прямые переходы, для которых сумма энергий электрона и дырки близка к своему минимуму в точке $k_{i}$. Задача решается методом теории возмущений. Условие разрешимости системы уравнений первого приближения в окрестности $k_{i}$ минимума приводит к секулярному уравнению ${p\times l}$-степени ($p$ — число эквивалентных минимумов энергии в зоне проводимости, $l$ — кратность вырождения валентной зоны в точке $k_{i}$). Численный расчет с привлечением теоретико-группового анализа, проведенный для Ge, показал, что в этом случае нижайшее состояние прямого экситона расщепляется на два трехкратно и один двухкратно вырожденных уровня. Проведено сравнение с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными.