Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1423–1428 (Mi phts822)  

Характер развития доменной электрической неустойчивости в полупроводнике с нулевыми граничными условиями

Г. Ф. Караваев, Л. Х. Черняховский
Аннотация: В рамках локальной полевой модели развита нелинейная теория возмущений малой амплитуды, возникающих в полупроводнике с $N$-образной зависимостью дрейфовой скорости электронов от электрического поля. Исследован случай нулевых граничных условий для возмущения поля. Получено нелинейное уравнение для амплитуды возмущения. Показано, что существует своеобразный критерий на произведение концентрации электронов на длину образца, позволяющий установить характер нелинейного развития (взрывной, мягкий) неустойчивого возмущения.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ф. Караваев, Л. Х. Черняховский, “Характер развития доменной электрической неустойчивости в полупроводнике с нулевыми граничными условиями”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1423–1428
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Г.~Ф.~Караваев, Л.~Х.~Черняховский
\paper Характер развития доменной электрической неустойчивости
в~полупроводнике с~нулевыми граничными условиями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 8
\pages 1423--1428
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts822}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts822
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1423
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024