Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1419–1422 (Mi phts821)  

Исследование люминесценции германия, облученного ионами

В. А. Быковский, Н. И. Долгих
Аннотация: Исследовалась низкотемпературная (${T=4.2}$ K) фотолюминесценция (ФЛ) германия, облученного ионами Н$^{+}$, H$^{+}_{2}$, D$^{+}$, Не$^{++}$, Ne$^{+}$, Ar$^{+}$, N$^{+}$, Si$^{+}$, Ge$^{+}$ с энергией ${0.1\div25}$ МэВ. Облучение изотопами водорода приводит к возникновению в спектрах ФЛ после отжига полос и линий, которые сопоставляются с центрами излучательной рекомбинации водород–радиационные дефекты различной сложности. Полученные результаты коррелируют с данными по нейтронному облучению германия. Облучение тяжелыми ионами приводит к изменениям в спектрах ФЛ, предполагающим образование аморфных слоев и развитие дислокационных петель при отжиге.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Быковский, Н. И. Долгих, “Исследование люминесценции германия, облученного ионами”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1419–1422
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by В.~А.~Быковский, Н.~И.~Долгих
\paper Исследование люминесценции германия, облученного ионами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 8
\pages 1419--1422
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts821}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts821
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1419
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024