Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1413–1418 (Mi phts820)  

Определение циклотронных масс тяжелых дырок InSb из магнитофононного резонанса

М. В. Якунин
Аннотация: С помощью магнитофононного резонанса измерены циклотронные массы тяжелых дырок InSb на уровне энергии оптического фонона: ${m^{-}_{100}/m=0.31\pm0.02}$, ${m^{-}_{111}/m=0.41\pm0.02}$. С учетом поправок на обменное взаимодействие дырок и электронов вычислены значения масс тяжелых дырок на дне зоны и на большом удалении от края. Для значения массы легких дырок $0.0145m$ определены параметры Латтинджера: ${\gamma_{1L}=35.65}$, ${\gamma_{2L}=15.70}$, ${\gamma_{3L}=16.97}$.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Якунин, “Определение циклотронных масс тяжелых дырок InSb из магнитофононного резонанса”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1413–1418
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by М.~В.~Якунин
\paper Определение циклотронных масс тяжелых дырок InSb
из магнитофононного резонанса
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 8
\pages 1413--1418
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts820}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts820
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1413
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024