Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1408–1412 (Mi phts819)  

Оптические и электрофизические свойства сильно легированных сплавов $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$

О. И. Гужва, П. А. Генцар, А. М. Евстигнеев, А. Н. Красико, Н. Д. Марчук, Т. Н. Николаева, О. В. Снитко, В. П. Черкашин
Аннотация: Исследованы дифференциальная емкость и оптические спектры (отражения, НПВО и электроотражения) поликристаллических сплавов $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с концентрацией электронов около $10^{26}\,\text{м}^{-3}$. Получены параметры энергетической зонной структуры ($m^{*}_{ds}$, $m^{*}_{\text{opt}}$, $m_{\parallel}$, $m_{\perp}$) и время релаксации свободных носителей заряда. Установлено примерно линейное изменение $m_{\perp}$ с составом сплава $x$. Сделан вывод о наличии высокого (около ${\sim2\cdot10^{8}}$ В/м) встроенного контактного электрического поля в тонкой (${\sim2}$ нм) приповерхностной области Ge$_{1-x}$Si$_{x}$. Получены данные, свидетельствующие о вкладе фриделевских осцилляций экранирования в емкость.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. И. Гужва, П. А. Генцар, А. М. Евстигнеев, А. Н. Красико, Н. Д. Марчук, Т. Н. Николаева, О. В. Снитко, В. П. Черкашин, “Оптические и электрофизические свойства сильно легированных сплавов $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1408–1412
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sni87}
\by О.~И.~Гужва, П.~А.~Генцар, А.~М.~Евстигнеев, А.~Н.~Красико, Н.~Д.~Марчук, Т.~Н.~Николаева, О.~В.~Снитко, В.~П.~Черкашин
\paper Оптические и~электрофизические свойства сильно легированных сплавов
$n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 8
\pages 1408--1412
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts819}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts819
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1408
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024