Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1404–1407 (Mi phts818)  

Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS

А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев
Аннотация: Исследовались параметры уровней рения в $n$-кремнии методом DLTS. Установлено существование четырех уровней с энергиями ионизации ${E_{1}=E_{c}-(0.55\pm0.01)}$, ${E_{2}=E_{c}-(0.36\pm0.01)}$, ${E_{3}=E_{c}-(0.29\pm0.01)}$, ${E_{4}=E_{c}-(0.21\pm0.01)}$ эВ и соответственно с сечениями термической перезарядки электронов из глубоких уровней рения ${\sigma_{n_{1}}=0.63\cdot10^{-16}}$, ${\sigma_{n_{2}}=6.4\cdot10^{-14}}$, ${\sigma_{n_{3}}=8.7\cdot10^{-18}}$, ${\sigma_{n_{4}}=6.8\cdot10^{-16}\,\text{см}^{2}}$,
Полученные результаты обсуждаются на основе модели Ройцина–Фирштейна–Людвига–Вудбери. Качественно определено зарядовое состояние атомов рения как в случае атома замещения, так и в случае атома внедрения в кристаллической решетке кремния.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1404–1407
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakKha87}
\by А.~Мирзаев, Ш.~Махкамов, П.~К.~Хабибуллаев
\paper Исследование параметров уровней рения в~кремнии методом
DLTS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 8
\pages 1404--1407
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts818}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts818
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1404
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024