|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1404–1407
(Mi phts818)
|
|
|
|
Исследование параметров уровней рения в кремнии методом
DLTS
А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев
Аннотация:
Исследовались параметры уровней рения в
$n$-кремнии методом DLTS. Установлено существование четырех уровней
с энергиями ионизации ${E_{1}=E_{c}-(0.55\pm0.01)}$,
${E_{2}=E_{c}-(0.36\pm0.01)}$,
${E_{3}=E_{c}-(0.29\pm0.01)}$,
${E_{4}=E_{c}-(0.21\pm0.01)}$ эВ
и соответственно с сечениями термической перезарядки электронов
из глубоких уровней рения ${\sigma_{n_{1}}=0.63\cdot10^{-16}}$,
${\sigma_{n_{2}}=6.4\cdot10^{-14}}$,
${\sigma_{n_{3}}=8.7\cdot10^{-18}}$,
${\sigma_{n_{4}}=6.8\cdot10^{-16}\,\text{см}^{2}}$, Полученные результаты обсуждаются на основе
модели Ройцина–Фирштейна–Людвига–Вудбери. Качественно
определено зарядовое состояние атомов рения как в случае атома замещения,
так и в случае атома внедрения в кристаллической решетке кремния.
Образец цитирования:
А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев, “Исследование параметров уровней рения в кремнии методом
DLTS”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1404–1407
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts818 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1404
|
|