Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем

Рассмотрено влияние встроенного поля на процесс установления диффузионно-дрейфового равновесия между поверхностью $p^{+}{-}n$-структуры и сгустком носителей, внесенным импульсным излучением.
Показано, что в случае барьера Шоттки, когда встроенное поле отсутствует, процесс имеет характер диффузионного стока носителей к поверхности. При этом существенна поверхностная рекомбинация неравновесных пар, что, в частности, лимитирует энергетическое разрешение детекторов короткопробежных частиц.
Из рассмотрения также следует, что спектральная характеристика фотоприемников критична к соотношению интенсивности освещения и уровня приповерхностного легирования.