Термоэдс HgTe при низких температурах

Изложены результаты экспериментальных исследовании температурных и магнитополевых зависимостей термоэдс HgTe в области гелиевых температур. Показано, что положительное значение термоэдс HgTe ниже ${\sim10}$ K можно объяснить резонансным рассеянием электронов на нейтральных акцепторах. В квантующем магнитном поле термоэдс достигает больших отрицательных значений (${\sim{-}2.5}$ мВ/К) в результате фононного увлечения электронов.