Объемно-неравновесные состояния в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In)

Исследованы статические вольтамперные характеристики и распределение проводимости в высокоомных при 4.2 K монокристаллах Pb$_{0.75}$Sn$_{0.25}$Te + 0.5 ат% In с сеткой индиевых контактов при световых и электротермических локальных возбуждениях системы. Измерения проведены с помощью компьютера IBM PC, снабженного блоком аналого-цифрового преобразования и 16-канальным аналоговым коммутатором.
Обнаружено, что под действием локального кратковременного облучения кристалла ИК радиацией от теплового источника с температурой ${\sim20}$ K возникают долгоживущие объемно-неравновесные состояния с резко (до 4 порядков) различающейся проводимостью. Установлено, что в градиенте электрического поля происходит обратимое или необратимое «втягивание» неравновесных электронов в непроводящие области. Возникновение указанных состояний приводит к новому эффекту — фотоэлектротермической неустойчивости при локальном джоулевом разогреве кристалла, проявляющейся в гигантской стимуляции проводимости между «точечными» контактами с помощью электрического поля.