Экспериментальное и численное исследования стохастической динамики температурно-электрической неустойчивости в полупроводниках

В широких диапазонах значений электрического поля, интенсивности и длины волны возбуждающего света экспериментально определены области существования регулярных и стохастических автоколебаний фототока и температуры, обусловленных температурно-электрической неустойчивостью (ТЭН) в кристаллах сульфида кадмия. Изучены сценарии перехода к динамическому хаосу. Предложено объяснение сложной динамики автоколебаний на основе математической модели ТЭН, учитывающей немонотонную зависимость времени жизни носителей от температуры и два уровня прилипания для электронов. Приведены результаты численного изучения модели ТЭН, качественно согласующиеся с экспериментом.