|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1364–1368
(Mi phts811)
|
|
|
|
Определение параметров точечных центров, образующих
«слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах
С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, М. Г. Плоппа, А. М. Прохоров
Аннотация:
Излагается методика определения некоторых параметров
точечных центров входящих в состав примесных скоплений в кристаллах
германия, разработанная на основе экспериментов по температурной
зависимости интенсивности рассеяния света ИК диапазона и влияния на нее
подсветки СО-лазера с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны.
Образец цитирования:
С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, М. Г. Плоппа, А. М. Прохоров, “Определение параметров точечных центров, образующих
«слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1364–1368
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts811 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i8/p1364
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 28 |
|