Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 7, страницы 1278–1282 (Mi phts784)  
Долгоживущие возбужденные состояния бора в алмазе

О. И. Смирнова, Э. Э. Годик, А. Г. Гонтарь
PDF полного текста (544 kB)
Аннотация: Исследована прыжковая фотопроводимость по долгоживущим возбужденным состояниям бора в алмазе. Определены энергии ионизации и времена жизни этих состояний. Показано, что захват дырок на глубокие состояния происходит с испусканием оптических фононов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. И. Смирнова, Э. Э. Годик, А. Г. Гонтарь, “Долгоживущие возбужденные состояния бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1278–1282
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiGodGon87}
\by О.~И.~Смирнова, Э.~Э.~Годик, А.~Г.~Гонтарь
\paper Долгоживущие возбужденные состояния бора в~алмазе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 7
\pages 1278--1282
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts784}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts784
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i7/p1278
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025