Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 1, страницы 21–28
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54926.3554 (Mi phts6829) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами

А. Б. Пашковскийa, С. А. Богдановa, А. К. Бакаровb, К. С. Журавлевb, В. Г. Лапинa, В. М. Лукашинa, С. Н. Карповa, И. А. Рогачевa, Е. В. Терешкинa

a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (808 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54926.3554
Аннотация: Теоретически исследована нелокальная динамика электронов в псевдоморфных AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктурах с двухсторонним донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами из AlAs/GaAs короткопериодных сверхрешеток вокруг легированных областей. Для исследованных гетероструктур введение цифровых барьеров значительно, на 30–40%, повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Обнаружен эффект локализации горячих электронов на состояниях в AlAs/GaAs-сверхрешетках по краям InGaAs-квантовой ямы. Показано, что учет этого эффекта значительно увеличивает всплеск дрейфовой скорости электронов, приближая его к максимальному теоретическому пределу для используемой модели – всплеску дрейфовой скорости в нелегированном объемном материале InGaAs.
Ключевые слова: потенциальные барьеры, цифровые барьеры, гетероструктуры, всплеск дрейфовой скорости электронов.
Поступила в редакцию: 19.04.2022
Исправленный вариант: 29.09.2022
Принята в печать: 26.01.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PasBogBak23}
\by А.~Б.~Пашковский, С.~А.~Богданов, А.~К.~Бакаров, К.~С.~Журавлев, В.~Г.~Лапин, В.~М.~Лукашин, С.~Н.~Карпов, И.~А.~Рогачев, Е.~В.~Терешкин
\paper Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 1
\pages 21--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6829}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54926.3554}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50399141}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6829
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i1/p21
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:5
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025