Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1406 (Mi phts6705)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Spin Related Phenomena in Nanostructures

Non-abelian properties of charge carriers in a quasirelativistic graphene model

H. V. Grushevskaya, G. G. Krylov

Belarusian State University, 220050 Minsk, Belarus
Аннотация: Charge carrier transport peculiarities stipulated by non-trivial topology of a quasi-relativistic graphene model are investigated. It has been demonstrated that the model predicts additional topological contributions such as Majorana-like mass-term correction to ordinary Ohmic component of current, spin-orbital-coupling and “Zitterbewegung”- effect corrections to conductivity in space and time dispersion regime. Phenomena of negative differential conductivity for graphene have been interpreted based on the proposed approach.
Ключевые слова: graphene, quasirelativistic model.
Финансовая поддержка Номер гранта
ГПНИ "Конвергенция-2020" 2.1.01.1
State Program of Fundamental Researches of the Republic of Belarus Energetics 3.1.08.1
This work has been supported in parts under the project 2.1.01.1 of the State Program of Fundamental Researches of the Republic of Belarus “Convergence” and the project 3.1.08.1 the State Program of Fundamental Researches of the Republic of Belarus “Energetics”.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1737–1739
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262012009X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: H. V. Grushevskaya, G. G. Krylov, “Non-abelian properties of charge carriers in a quasirelativistic graphene model”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1406; Semiconductors, 54:12 (2020), 1737–1739
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruKry20}
\by H.~V.~Grushevskaya, G.~G.~Krylov
\paper Non-abelian properties of charge carriers in a quasirelativistic graphene model
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1406
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6705}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1737--1739
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262012009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6705
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1406
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024