Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1405 (Mi phts6704)  

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Spin Related Phenomena in Nanostructures

Floquet engineering of structures based on gapless semiconductors

O. V. Kibisa, M. V. Boevb, V. M. Kovalevc, R. E. Sinitskyia, I. A. Shelykhd

a Department of Applied and Theoretical Physics, Novosibirsk State Technical University, 630073 Novosibirsk, Russia
b Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
c Science Institute, University of Iceland, Dunhagi 3, IS-107, Reykjavik, Iceland
d ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
Аннотация: Applying the conventional Floquet theory of periodically driven quantum systems, we developed the theory of optical control of structures based on gapless semiconductors. It is demonstrated that electronic properties of the structures crucially depends on irradiation. Particularly, irradiation by a circularly polarized electromagnetic wave lifts spin degeneracy of electronic bands and induces surface electronic states. Thus, a high-frequency off-resonant electromagnetic field can serve as an effective tool to control electronic characteristics of the structures and be potentially exploited in optoelectronic applications of them.
Ключевые слова: Floquet systems, gapless semiconductors.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-02-00084
The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research (project no. 20-02-00084).
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1734–1736
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120143
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: O. V. Kibis, M. V. Boev, V. M. Kovalev, R. E. Sinitskyi, I. A. Shelykh, “Floquet engineering of structures based on gapless semiconductors”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1405; Semiconductors, 54:12 (2020), 1734–1736
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KibBoeKov20}
\by O.~V.~Kibis, M.~V.~Boev, V.~M.~Kovalev, R.~E.~Sinitskyi, I.~A.~Shelykh
\paper Floquet engineering of structures based on gapless semiconductors
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1405
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6704}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1734--1736
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120143}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6704
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1405
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024