Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1397 (Mi phts6696)  

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Nanostructure Characterization

Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory

I. A. Eliseyeva, V. Yu. Davydova, E. M. Roginskiia, Yu. E. Kitaeva, A. N. Smirnova, M. A. Yagovkinaa, D. V. Nechaeva, V. N. Zhmerika, M. V. Smirnovb

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b St. Petersburg State University, 199034 St. Petersburg, Russia
Аннотация: We report the results of systematic experimental and theoretical studies of structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices. The multilayer structures with the thicknesses of the constituent layers varying from two to several monolayers are grown using the submonolayer digital molecular beam epitaxy technique. In the framework of density functional theory, the lattice dynamics properties of the superlattices are studied. Good agreement between the experiment and theory is found, which made it possible to establish unambiguously a relationship between the features observed in the Raman spectra and the microscopic nature of the acoustic and optical phonon modes. The results obtained enhance the capabilities of Raman spectroscopy as a fast and non-destructive characterization method of short-period GaN/AlN superlattices and can be used to optimize growth process parameters for the fabrication of structurally perfect low-dimensional heterostructures.
Ключевые слова: GaN/AlN superlattices, molecular beam epitaxy, group theory analysis, density functional theory, lattice dynamics, Raman spectroscopy.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-52-80089
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62119X0021
The work was supported in part by Russian Foundation for Basic Research (project RFBR-BRICS no. 17-52-80089). XRD characterizations were performed using equipment of the Federal Joint Research Center “Material science and characterization in advanced technology” sponsored by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (id RFMEFI62119X0021).
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1706–1709
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120052
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1397; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EliDavRog20}
\by I.~A.~Eliseyev, V.~Yu.~Davydov, E.~M.~Roginskii, Yu.~E.~Kitaev, A.~N.~Smirnov, M.~A.~Yagovkina, D.~V.~Nechaev, V.~N.~Zhmerik, M.~V.~Smirnov
\paper Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1397
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6696}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1706--1709
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120052}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6696
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1397
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024