Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1320 (Mi phts6680)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Influence of annealing temperature variations on the properties of chemically deposited nanocrystalline zinc-selenide thin films

T. A. H. Mir, R. A. G. Shaikh, D. S. Patil, B. K. Sonawane

Department of Electronics, School of Physical Sciences, Kavayitri Bahinabai Chaudhari North Maharashtra University, Jalgaon, Maharashtra, 425001 India
Аннотация: In the present report, influence of annealing temperature variations on the optical, morphological, and structural properties of chemically deposited nanocrystalline zinc-selenide thin films is studied employing an $X$-ray diffractometer, scanning electron microscope, and UV spectroscope. As-synthesized and annealed films exhibit nanocrystalline nature with cubic structure. The result shows that ZnSe thin films contain spherical particles that are composed of nanocrystals ranging from 3 to 7 nm crystallite size. The SEM studies reveal that the inter- crystalline spaces have been found to be reduced with an increase in grain size as annealing temperature increases. The EDS data reveal that the obtained thin films are rich in selenium. However, thermal annealing assisted to reduce the non-stoichiometric nature of the films by reducing selenium content that was found to be reduced with a rise in annealing temperature. The reduction in strains and dislocation density was observed after the annealing process. The band-gap energy was found to be raised from 2.56 to 2.76 eV with a rise in annealing temperature. The transmittance of more than 80% was recorded by as-synthesized and annealed films as well.
Ключевые слова: chemical bath deposition, annealed ZnSe films, optical properties.
Финансовая поддержка Номер гранта
Vice-Chancellor Research Motivational Scheme (VCRMS) NMU/11A/VCRMS/2016-17/Science1/85
This research work is supported by the VCRMS (Vice-Chancellor Research Motivational Scheme), Kavayatri Bahinabai Chaudhari North Maharashtra University (NMU/11A/VCRMS/2016-17/Science1/85).
Поступила в редакцию: 17.07.2020
Исправленный вариант: 17.07.2020
Принята в печать: 13.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1577–1582
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120234
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: T. A. H. Mir, R. A. G. Shaikh, D. S. Patil, B. K. Sonawane, “Influence of annealing temperature variations on the properties of chemically deposited nanocrystalline zinc-selenide thin films”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1320; Semiconductors, 54:12 (2020), 1577–1582
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MirShaPat20}
\by T.~A.~H.~Mir, R.~A.~G.~Shaikh, D.~S.~Patil, B.~K.~Sonawane
\paper Influence of annealing temperature variations on the properties of chemically deposited nanocrystalline zinc-selenide thin films
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1320
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6680}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1577--1582
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120234}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6680
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1320
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024