Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1262 (Mi phts6678)  

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Excitons in Nanostructures

Spin-valley dynamics of interlayer excitons in heterobilayers Mo$_x$W$_{1-x}$Se$_2$/WSe$_2$

A. D. Liubomirova, V. Kravtsovb, R. V. Cherbunina

a St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia
b Information Technologies, Mechanics and Optics University, 197101 St. Petersburg, Russia
Аннотация: We study spin-valley relaxation dynamics in two-dimensional Mo$_x$W$_{1-x}$Se$_2$/WSe$_2$ heterobilayers with different relative Mo/W concentration $x$ in the monolayer alloy. Three types of heterobilayers with $x$ = 1.00, 0.50, 0.33 are studied in time-resolved Kerr rotation experiments for different wavelengths and temperatures. The spin-valley relaxation times are found to decrease from $\sim$10 nanoseconds for $x$ = 1.00 to $\sim$50 picoseconds for $x$ = 0.33. The observed relaxation times are limited by the recombination of indirect excitons formed in the heterobilayers. Our results demonstrate that spin-valley relaxation in alloy-based van der Waals heterostructures can be controlled via their chemical composition.
Ключевые слова: TMDC, heterobilayers, interlayer excitons, spin-valley relaxation.
Финансовая поддержка Номер гранта
Санкт-Петербургский государственный университет 51125686
Российский фонд фундаментальных исследований 19-52-51010
The authors acknowledge Saint-Petersburg State University for a research Grant no. 51125686 and the group of Prof. Alexander Tartakovskii for providing several TMD heterostructure samples. V.K. acknowledges funding from RFBR according to project no. 19-52-51010.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1518–1521
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110196
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. D. Liubomirov, V. Kravtsov, R. V. Cherbunin, “Spin-valley dynamics of interlayer excitons in heterobilayers Mo$_x$W$_{1-x}$Se$_2$/WSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1262; Semiconductors, 54:11 (2020), 1518–1521
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LiuKraChe20}
\by A.~D.~Liubomirov, V.~Kravtsov, R.~V.~Cherbunin
\paper Spin-valley dynamics of interlayer excitons in heterobilayers Mo$_x$W$_{1-x}$Se$_2$/WSe$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1262
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6678}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1518--1521
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110196}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6678
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1262
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024