Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1261 (Mi phts6677)  
NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Excitons in Nanostructures

Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances

A. S. Kurdyubova, B. F. Gribakina, A. V. Mikhailova, A. V. Trifonova, Yu. P. Efimovb, S. A. Eliseevb, V. A. Lovtsyusb, I. V. Ignatieva

a Spin Optics Laboratory, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Petrodvorets, Russia
b Resourse Center "Nanohotonics", St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Petrodvorets, Russia
PDF полного текста (26 kB)
Аннотация: The energy spectrum of the exciton and carrier states in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well is experimentally studied by means of the spectroscopy of the nonradiative broadening of exciton resonances and the spectroscopy of the photoluminescence excitation. The observed peculiarities of the spectra are treated using the numerical solution of the one-dimensional Schrödinger equation for free carriers and three-dimensional equation for excitons in the quantum well. The conduction and valence band offsets in the shallow GaAs quantum well are determined.
Ключевые слова: exciton spectroscopy; GaAs/AlGaAs quantum well; nonradiative broadening.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00576а
18-32-00516
20-32-70131
Санкт-Петербургский государственный университет 51125686
This work is supported by the Russian Foundation for Basic Research, grants nos. 19-02-00576a, 18-32-00516, and 20-32-70131. The authors acknowledge Saint-Petersburg State University for research Grant no. 51125686.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1514–1517
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110172
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. S. Kurdyubov, B. F. Gribakin, A. V. Mikhailov, A. V. Trifonov, Yu. P. Efimov, S. A. Eliseev, V. A. Lovtsyus, I. V. Ignatiev, “Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1261; Semiconductors, 54:11 (2020), 1514–1517
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KurGriMik20}
\by A.~S.~Kurdyubov, B.~F.~Gribakin, A.~V.~Mikhailov, A.~V.~Trifonov, Yu.~P.~Efimov, S.~A.~Eliseev, V.~A.~Lovtsyus, I.~V.~Ignatiev
\paper Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1261
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6677}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1514--1517
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6677
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1261
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024