Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1192 (Mi phts6668)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Optimal estimation of Schottky diode parameters using advanced swarm intelligence algorithms

A. Rabehiab, B. Nailb, H. Helala, A. Douarab, A. Zianea, M. Amrania, B. Akkala, Z. Benamaraa

a Laboratoire de Micro-électronique Appliquée, Université Djillali Liabés de Sidi Bel Abbès, BP 89, 22000, Sidi Bel Abbès, Algeria
b Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, 38000 Tissemsilt, Algeria
PDF полного текста (27 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: This work deals with estimation of the Schottky diode (Au|GaN|GaAs) optimal parameters. For this purpose, advanced swarm intelligence (SI) algorithms have been applied, i. e., Harris hawks optimization, ant lion optimizer (ALO), grey wolf optimizer, and whale optimization algorithm. The performance of the SI algorithms has been investigated by a comparative study following the analytical methods developed by Kaminski I, Cheung and Cheung, Norde, and Mikhelashvili. The comparative results show that the ALO algorithm gives minimum RMSE criteria, with best parameters estimation against all the SI optimizers and the analytical techniques.
Ключевые слова: Schottky diodes, Au|GaN|GaAs, swarm intelligence algorithms, parameters estimation, barrier height.
Поступила в редакцию: 11.05.2020
Исправленный вариант: 11.05.2020
Принята в печать: 06.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1398–1405
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110214
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Rabehi, B. Nail, H. Helal, A. Douara, A. Ziane, M. Amrani, B. Akkal, Z. Benamara, “Optimal estimation of Schottky diode parameters using advanced swarm intelligence algorithms”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1192; Semiconductors, 54:11 (2020), 1398–1405
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RabNaiHel20}
\by A.~Rabehi, B.~Nail, H.~Helal, A.~Douara, A.~Ziane, M.~Amrani, B.~Akkal, Z.~Benamara
\paper Optimal estimation of Schottky diode parameters using advanced swarm intelligence algorithms
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1192
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6668}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1398--1405
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6668
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1192
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024